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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討,並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體,藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析,微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響,並…
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本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…
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本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體,分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…